半導体イオン注入技術 - 蒲生健次

半導体イオン注入技術 蒲生健次

Add: pypegaby2 - Date: 2020-11-21 19:51:19 - Views: 1881 - Clicks: 6110

超lsi時代の半導体技術100集 資料種別: 図書 責任表示: 庄野克房著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : オーム社,形態: 5冊 ; 19cm 著者名: 半導体イオン注入技術 - 蒲生健次 庄野, 克房(1934-) シリーズ名: エレクトロニクス文庫 ; 12,15,18,22,27 書誌id: bn00101091. イオン注入技術 / 難波進編著 資料種別: 図書 出版情報: 東京 : 工業調査会, 1975. (1)半導体および金属への高エネルギーイオン注入 (2)斜めイオン注入 (3)マスクレスイオン注入 (4)simox/soiプロセス (5)イオン注入ウェルによるソフトエラー耐性構造プロセス (6)イオンビームミキシングによる局所シリサイド形成プロセス. 所属 (過去の研究課題情報に基づく):大阪大学,名誉教授, 研究分野:応用物性,電子・電気材料工学,電子デバイス・機器工学,応用物理学一般,理工系, キーワード:量子干渉効果,電子波エレクトロニクス,メゾスコピック現象,電子波デバイス,超微細加工,超格子,ヘテロ接合,集束イオンビーム,単.

半導体技術 フォーマット: 図書 責任表示: 庄野克房著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 東京大学出版会, 1976. 教授末田 正 教授浜川圭弘 教授蒲生健次 論文内容の要旨 lsiを始めとする半導体集積素子の微細化高集積化等の原動力はリソグラフイによる選択薄膜結 晶成長,選択イオン注入ドーピング,選択エッチング等からなる微細加工技術である。半導体集積回路. 5 形態: 2冊 ; 21cm 著者名: 庄野, 克房(1934-) シリーズ名: 物理工学実験 ; 2-3 書誌id: bnisbn:. Affiliation (based on the past Project Information):大阪大学,名誉教授, Research Field:Applied materials,Electronic materials/Electric materials,電子デバイス・機器工学,応用物理学一般(含航海学),Science and Engineering, Keywords:量子干渉効果,電子波エレクトロニクス,メゾスコピック現象,電子波デバイス,超微細加工,超格子. 2 半導体イオン注入技術 - 蒲生健次 図書 日本半導体年鑑 プレスジャーナル, 月刊Semiconductor World編集部, Semiconductor FPD World編集部VLSI Report調査部 プレスジャーナル.

技術の広場 「イオン注入とサブミクロン加工」に参加して / 阪大 蒲生健次 / p130~. 3: 半導体イオン注入技術: 蒲生健次 編著: 産業図書: 1986. 【従来の技術】イオン注入方法とは、シリコン基板等の所定の箇所に所望の電気伝導性を持たせることを目的として用いられている方法であり、イオン化させた不純物(B+,P+ ,As+ 等)を真空中で加速管により加速し、分離分析器により所望の不純物イオン. 半導体イオン注入技術 ¥ 3,800 蒲生健次 、産業図書株式会社 、昭和61年 、1冊.

14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV. 蒲生, 健次: シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ: 出版地(国名コード) jp: 出版地: 東京: 出版社: 産業図書: 出版年月日等: 1986. 半導体イオン注入技術 (蒲生健次) ¥3,800 熱電気工学 (栗田忠四郎) ¥2,000 半導体デバイスの信頼性技術 (松下電子工業株式会社編) ¥3,380. 半導体イオン注入技術 蒲生健次 / 産業図書 1986/07 税込¥3,520: 半導体リソグラフィ技術 鳳紘一郎 / 産業図書 1984/07 税込¥3,850: 最新LSIプロセス技術 前田和夫(1935-) / 工業調査会 1983/07 税込¥9,790 : 電子工学(半導体素子 プロセス). 2 形態: 5, 194p ; 21cm シリーズ名: エレクトロニクス技術全書 ; 8 . Principal Investigator:蒲生 健次, Project Period (FY):1968, Research Category:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A) KAKEN — Research Projects | イオン注入法による有機半導体の研究 (KAKENHI-PROJECT-X. 半導体イオン注入技術 資料種別: 図書 責任表示: 蒲生健次編著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 産業図書, 1986. 3 形態: iii, 151p : 挿図 ; 27cm 著者名: 大吉, 啓司 書誌ID: BAISBN:.

めの新しいイオン注入技術の研究に関するものであるo 新しいイオン注入技術とは, トレンチ側壁へ均一で精度良く不純物をドーピングする技術である。こ の方法によってダイナミックramセルを微細化することが可能になった。この側壁イオン注入のもう. 蒲生 健次 阪大基礎工 難波 進. Ion beam modification of materials : proceedings of the Thirteenth International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Kobe, Japan, 1-6 September. 7 形態: 212p ; 22cm 著者名: 蒲生, 健次 シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ 書誌id: bnisbn:.

Amazonで蒲生 健次の半導体イオン注入技術 (集積回路プロセス技術シリーズ)。アマゾンならポイント還元本が多数。蒲生 健次作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。. com : 171683 科研費研究者番号 :所属 1999年度 (平成11年度) 大阪大学 ・名誉教授. 平野, 健次(1929-) シリーズ名: 岩波講座日本の音楽・アジアの音楽 / 蒲生郷昭 ほか 編 ;.

jp2) 音成合成用LSIとその応用 / 東芝 仁戸部芳弘 / p138~. Pontaポイント使えます! | 半導体イオン注入技術 | 蒲生健次 | 発売国:日本 | 書籍 || HMV&BOOKS online 支払い方法、配送方法もいろいろ選べ、非常に便利です!. 半導体イオン注入技術 蒲生健次 / 産業図書 1986/07 ¥3,200: 半導体リソグラフィ技術 鳳紘一郎 / 産業図書 1984/07 ¥3,500: 最新LSIプロセス技術 前田和夫(1935-) / 工業調査会 1983/07 ¥8,900 : 電子工学(半導体素子 プロセス). 低損傷マスクレス3次元微細加工技術の開発: 研究代表者 蒲生健次: 大阪大学基礎工学部: 1993. 【0003】この問題に関しては、蒲生 健次 編著『半導体イオン注入技術』産業図書社昭和61年7月31日発行(92〜97頁)に開示されている。. 12 形態: 339p ; 27cm 書誌ID: BBISBN:. 7: 大きさ、容量等: 212p ; 22cm: 注記 各章末: 参考文献 isbn:: 価格: 3200円 (税込) jp番号:: 出版年(w3cdtf) 1986: 件名.

備後国畳表藺農業之図 ; 琉球藺作織法(農家益三篇) ; 近江国蒲生郡畳表図説 Responsibility: 大蔵, 永常; 樋口, 秀雄(1927-) ; 青木, 国夫(1924-). 10 形態: 3, 271, 7p, 図版1枚 ; 22cm 著者名: 伊藤, 糾次(1922-) 書誌ID: BN00182967. 蒲生 健次 阪大基礎工の論文や著者との関連性. イオン・インプランテーション : 理論と応用 フォーマット: 図書 責任表示: 伊藤糾次 ほか 共著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1976. 蒲生健次編著 (集積回路プロセス技術シリーズ) 産業図書, 1986. 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック. ハンドウタイ イオン チュウニュウ ギジュツ. 半導体および絶縁体へのイオン注入技術 フォーマット: 図書 責任表示: 大吉啓司著 言語: 日本語 出版情報: 東京 : アイピーシー,.

(9/12時点 - 商品価格ナビ)【製品詳細:書名カナ:ハンドウタイ イオン チュウニュウ ギジュツ|著者名:蒲生健次|著者名カナ:ガモウ,ケンジ|シリーズ名:集積回路プロセス技術シリ-ズ|シリーズ名カナ:シュウセキ カイロ プロセス ギジュツ. その他の標題: 備後国畳表藺農業之図: 主題: 畳表; 藺草: 登録日:: タイトルのヨミ、その他のヨミ: ビンゴ ノ クニ タタミオモテ リンノウギョウ ノ ズ ; リュウキュウ リンサク ショクホウ ノウカ エキ サンペン ; オウミノクニ ガモウグン タタミオモテ ズセツ. 3a-N-1 イオン注入した半導体のESR. 半導体イオン注入技術 - 蒲生健次 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!. イオン伝導体の材料技術と測定方法 フォーマット: 図書 言語: 日本語 出版情報: 東京 : サイエンス&テクノロジー,.

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